思思科技的数字化定制化设计平台已通过TSMCN4工艺认证

来源:TechWeb   阅读量:8074   

思思科技最近几天宣布,其面向TSMC N3工艺技术的数字化,定制化设计平台获得TSMC认证,共同持续优化下一代片上系统的功耗,性能和面积基于多年的紧密合作,此次认证包括基于TSMC最新版设计规则手册和工艺设计套件的严格验证,这是思思科技与TSMC长期战略合作的结果此外,思思科技的数字化,定制化设计平台已通过TSMC N4工艺认证

思思科技的数字化定制化设计平台已通过TSMCN4工艺认证

TSMC设计基础设施管理部副总经理李硕说,通过多年的紧密合作,新思科技的设计平台解决方案获得了TSMC最先进技术的认证,帮助客户实现PPA优化,尤其是在下一代HPC,移动,5G和AI设计方面,将帮助客户快速将创新产品推向市场。

数字化设计流程基于紧密集成的新思科技融合设计平台贸易,在此基础上,采用先进的新技术,保证更快的时序收敛,实现从合成到布局,再到时序和物理签核的全过程关联平台增强后,可以提供更好的全面全局布局引擎,可以优化库单元选择和布局结果为了支持TSMC的超低电压设计收敛,思思科技改进了优化引擎,使用了新的内存优化算法这些新技术是两家公司战略合作的结果,将为PPA采用TSMC N3工艺的设计带来显著增长

海关汇编贸易,设计和布局解决方案是思思科技定制设计平台的一部分,可以为使用TSMC先进工艺技术的开发人员提供更高的生产力定制编译器的许多增强功能已经被采用N3工艺的早期用户验证,包括新思科技的DesignWare IP团队,可以减少工作量,满足N3的技术要求新科技的素数连续体解决方案中的素数交易,HSPICEreg,PrimeSim SPICE,PrimeSimPro和PrimeSimXA模拟器可以缩短基于TSMC N3过程的设计迭代时间,为电路仿真和可靠性要求提供签核

新科技数字设计事业部总经理Shankar Krishnamoorthy说:通过早期与TSMC的持续合作,我们使用TSMC先进的N3工艺技术为设计提供了高度差异化的解决方案,这使得客户对成功设计复杂的SOC更有信心基于3 nm全流程应用的大量技术创新,开发者可以充分利用PPA的显著提升,实现下一代HPC,移动,5G和AI设计

新思科技设计平台中的以下关键产品得到了强化,能够满足:的工艺技术要求。

数字设计解决方案。

*融合编译贸易,RTL—GDSII解决方案。

*设计编译器,NXT集成解决方案。

*集成电路编译器等级,布局解决方案。

签核

* PrimeTimereg顺序签核解决方案。

*主要功耗分析。

* starretcrade,寄生参数提取签名。

*集成电路验证交易,物理验证解决方案。。

*调整等级,ECO收敛解决方案。

*NanoTime定制电路时序签核。

*ESP—CV定制电路的功能验证。

* QuickCapregNX寄生参数提取三维场解算器。今年7月,思思科技宣布其FusionDesignPlatform已支持三星晶圆厂实现先进,高性能的多子系统片上系统一次成功,验证了下一代3nm环绕栅极(GAA)技术在功耗,性能和面积(PPA)方面的优势。

SPICE模拟和定制设计。

*PrimeSim HSPICE,PrimeSim SPICE和PrimeSim Pro仿真解决方案。

*PrimeSim XA可靠性分析。

*定制编译器定制电路设计。

声明:本网转发此文章,旨在为读者提供更多信息资讯,所涉内容不构成投资、消费建议。文章事实如有疑问,请与有关方核实,文章观点非本网观点,仅供读者参考。