纳米芯片晶体管和背面电源轨n 2工艺将于2025年量产

，TSMC在2022年的技术研讨会上介绍了未来先进工艺的信息N3工艺将于2022年量产，随后是N3E，N3P，N3X，n 2工艺将于2025年量产

TSMC首先推出了N3的FINFLEX，包括3—2鳍，2—2鳍和2—1鳍布局，具有以下特点:

3—2鳍–最快的时钟频率和最高的性能可满足最苛刻的计算要求。

2—2鳍–高效性能，性能，能效和密度之间的良好平衡

2—1翅片–超高能效，最低功耗，最低泄漏和最高密度

TSMC表示，FINFLEX扩展了3纳米系列半导体技术的产品性能，能效和密度的范围，允许芯片设计师使用相同的设计工具为同一芯片上的每个关键功能块选择最佳选项。

在N2方面，TSMC表示，这是第一个使用环绕栅极晶体管的节点，而不是目前的FinFET 新的制造工艺将提供全面的性能和功率优势相同功耗下，N2比N3E快10 ~ 15%在相同速度下，功耗降低25~30%可是，与N3E相比，N2仅增加了约1.1倍的芯片密度

N2工艺带来两项重要创新:纳米芯片晶体管和背面电源轨GAA纳米芯片晶体管的沟道四面都被栅极包围，减少了漏电，此外，它们的通道可以加宽以增加驱动电流并提高性能，也可以变窄以最大限度地降低功耗和成本为了给这些纳米芯片晶体管提供足够的电源，TSMC的N2使用了背面电源轨，TSMC认为这是后端工艺中电阻的最佳解决方案之一

本站了解到，TSMC已将N2技术定位于各种移动SOC，高性能CPU和GPU具体表现要等后续测试出来才能知道

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