机构预计全球NAND闪存行业今年资本支出将接近300亿美元

来源:TechWeb   阅读量:8179   

,据国外媒体报道,在连续3年增长之后,全球NAND闪存行业的资本支出,在今年将继续增加,并会创下新高。

机构预计全球NAND闪存行业今年资本支出将接近300亿美元

从研究机构的数据来看,全球NAND闪存行业今年的资本支出,将达到299亿美元,较去年的277亿美元增加22亿美元,同比增长8%。。

同比继续增长,也就意味着全球NAND闪存行业今年的资本支出,将超过2018年的278亿美元,创下新高。TrendForce上周五发表报告称,受西安疫情影响,目前尚无法预期解封时间,三星在当地出现的NANDFlash生产厂房运营未准;不排除NANDFlash价格稍后可能出现因预期而有短期小涨的情况发生。

研究机构在报告中指出,2017年开始,全球闪存行业开始向3D NAND闪存过渡,这也推动行业的资本支出大幅增加,2017年增至272亿美元,同比增长高达89%,随后一年增速放缓,但仍增长了2%,达到278亿美元。

虽然2019年全球NAND闪存行业的营收同比大幅下滑,但仍在200亿美元之上,延续了2017年之后超过200亿美元的趋势。

值得注意的是,在研究机构的预期中,今年全球NAND闪存行业8%的资本支出增速,明显低于去年的13%,较2020年的9%也有放缓,明年的增速,可能会继续放缓。

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